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IGBT通态电流大、通电压低、损耗小，解决了MOSFET在高压情况下电流不能太大的问题。在中低压领域广泛应用于新能源汽车和消费电子，在1700v以上的高压领域广泛应用于轨交、清洁发电和智能电网等领域。
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SiC具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点，被称为第三代半导体材料。
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智能功率IC除了有低功耗、高效率、低噪声、高精度和可靠性的特点，还具有节能功能，可以控制电源的输入和输出，以确保电源的稳定性和安全性。 新产品正在努力开发中，敬请期待。

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